功能描述：TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.5A，38A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.5 毫欧 @ 20A，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：2.7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：300pF @ 30V

功率 - 最大值：-

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：模具

供应商器件封装：模具

标准包装：1

EPC2102ENG

EPC2103ENG

EPC2104ENG

EPC2105ENG

EPC2106ENGRT

EPC2107ENGRT

EPC2108ENGRT

EPC2801

EPC2815

EPC2818